壓敏電阻采購,就選源林電子,自有技術(shù)團(tuán)隊(duì)
ZnO壓敏電阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外,雜質(zhì)元素的添加是影響其壓敏性能的極其重要的因素。國內(nèi)外研究人員進(jìn)行了大量研究工作,取得了大量的成果。晶體中雜質(zhì)的進(jìn)入或缺陷的存在,將破壞部分正常晶格的平移對(duì)稱性,產(chǎn)生以雜質(zhì)離子或缺陷為中心的局域振動(dòng)模式,從而形成新的能級(jí),這些新的能級(jí)一般位于禁帶之內(nèi),具有積累非平衡載流子(電子或空穴)的作用,這就是所謂的陷阱效應(yīng),一般把具有顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷能級(jí)稱為陷阱,相應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷成為陷阱中心。電子陷阱是指一類具有相變特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)對(duì)電子形成的一種束縛或禁錮狀態(tài)。從晶體能帶理論來解釋,它是指由于各種原因使得晶粒中的導(dǎo)帶彎曲或不連續(xù),從而在導(dǎo)帶中形成的勢阱;從晶體結(jié)構(gòu)來看,電子陷阱是指某些晶格點(diǎn)或晶體具有結(jié)構(gòu)缺陷,這種缺陷通常帶
有一定量的正電荷,因而能夠束縛自由電子,正如一般電子為原子所束縛的情況,電子陷阱束縛的電子也具有確定的能級(jí)。
ZnO作為一種寬禁帶的半導(dǎo)體材料,具有本征電導(dǎo)特征。這一本征施主特性使得ZnO粉料能與多種具有相變特征的受主元素在微觀結(jié)構(gòu)中形成電子陷阱。被電子陷阱俘獲的電子在外界電、磁、光、熱等物理量作用下,可脫離陷阱束縛,產(chǎn)生各種豐富的物理效應(yīng),在電場下的V-I非線性就是壓敏性能的表現(xiàn)。
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連續(xù)工作電壓MCOV
連續(xù)工作電壓MCOV指的是壓敏電阻在應(yīng)用時(shí)能長期承受的直流電壓UDC或交流電壓有效值URMS直流電壓的值為80%~92%U1mA,或產(chǎn)品在85℃下,正常工作1000h,施加的直流電壓;交流電壓的值為60%~65%U1mA,或產(chǎn)品在85℃下,正常工作1000h,施加的交流電壓。
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